Herzlich willkommen bei der Forschungsgruppe von Barbara TERHEIDEN
Poröses Silizium
Das elektrochemische Porosizieren von Silizium wird dazu verwendet, die Oberfläche eines Silizium-Wafers so zu präparieren, dass ein Transfer einer auf das poröse Silizium epitaktisch gewachsenen Silizium-Schicht möglich ist.
Dünnes Silizium
Die sehr dünnen Silizium-Scheiben erfordern zur Nutzung des Potentials, das das Si Material bietet, dass die Oberflächen mit einer hochwertigen Passivierungsschicht versehen werden. Die Passivierung beruht auf einer effektiven Reduzierung der Grenzflächen-Defektdichten sowie dem Feldeffekt, der die Konzentration einer Ladungsträgersorte an der Oberfläche reduziert.
Aktuelles
Weitere Meldungen